REMARQUE : V_cc = 10 V. Pour chaque mesure, expliquer la méthode utilisée et faire un schéma du montage.

 

 

I- MONTAGE DE BASE :

  

 

 

 

 

 

 

 

 

 

            1) Expliquer le fonctionnement du montage

 

 

            2) Sur la maquette, relier les bornes B₁ et B ; B₂ et B ; S et R_C.

 

Visualiser à l'oscilloscope la tension de sortie s(t).

 

Relevez s(t) et expliquez son allure.

 

 

            3) En admettant que le signal de sortie est sinusoïdal, calculer le rendement h du montage. Faire la mesure.

 

 

II- POLARISATION PAR DIODES ET RESISTANCES :

 

Montage :

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

            1) Préparation :

 

 

                        1-1) Expliquer le fonctionnement du montage.

 

 

                        1-2) Calculer la tension maximale S_max aux bornes de R_C.

 

 

                        1-3) En déduire la puissance maximale de sortie P_s.

 

 

                        1-4) Calculer la puissance fournie par l'alimentation P_f lorsque S = S_max.

        En déduire le rendement h.

 

 

                        1-5) Donner l'expression de A_p = P_s / P_e en fonction de R_C et R_e (impédance d'entrée du montage).

 

 

 

            2) Manipulation :

 

 

Relier les bornes R et B₁ ; R et B₂.

 

 

                        2-1) Appliquer sur la borne E une tension sinusoïdale de fréquence f =1 kHz.

 

A l'aide de deux oscillogrammes judicieusement choisis, représenter s(t) quand e(t) augmente.

 

Mesurer S_max, comparer avec la théorie.

 

 

                        2-2) Mesurer l'impédance d'entrée du montage en indiquant la méthode utilisée pour E = E_max. (faire un schéma du montage)

 

 

                        2-3) Appliquer la plus grande tension e(t) possible et mesurer S_eff, E_eff, P_e (puissance d'entrée) et I_CCmoy (fourni par l'alimentation).

 

 

En déduire:       - P_s

                        - A_v = S_eff / E_eff

                        - A_p = P_s / P_e

                        - Le rendement du montage h.

 

 

Comparer les valeurs trouvées aux valeurs théoriques.

 

 

 

 

III- POLARISATION PAR DIODES ET SOURCES DE COURANT :

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

            1) Préparation :

 

 

                        1-1) Calculer la tension maximale de sortie S_max.

 

 

                        1-2) Calculer la puissance maximale de sortie.

 

 

                        1-3) Calculer la puissance fournie par l'alimentation P_f pour S = S_max.

En déduire le rendement h.

 

 

 

            2) Manipulation :

 

 

Relier les bornes IB₁ et B₁ ; IB₂ et B₂.

 

 

                        2-1) Mesurer S_max.

 

 

                        2-2) Appliquer E_max et mesurer E_eff, S_eff, I_CCmoy, R_e et P_e.

 

En déduire P_s, A_p et h.

 

 

 

 

 

IV- MONTAGE BOOTSTRAPP :

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

            1) Préparation :

 

                        1-1) Calculer S_max théorique ainsi que l'impédance d'entrée R_e (ß_min = 1000).

 

 

                        1-2) Calculer P_smax et P_fmax. En déduire le rendement maximum h_max.

 

 

                        1-3) Quelle est la fréquence minimale d'utilisation du montage pour C = 2,2 µF ?

                       

 

            2) Manipulation :

 

Relier les bornes A et C (deux connections) ; B₁ et R ; B₂ et R.

 

 

                        2-1) Mesurer S_max et R_e à f = 1 kHz.

 

 

                        2-2) Pour E = E_max (dynamique maximale en sortie), mesurer P_smax et I_CCmoy. En déduire h.

 

Relever l'oscillogramme de la tension aux bornes de C : v_C (t) (expliquer la façon de l'obtenir).

 

 

                        2-3) Pour E = E_max / 2, mesurer le taux de distorsion (f = 1 kHz).

 

 

                        2-4) Mesurer la bande passante à -3 dB du montage (f_min et f_max).

 

 

V- PROTECTION EN INTENSITE DE L'ETAGE DE SORTIE :

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

           

 

1) Préparation :

 

 

                        1-1) A partir de quelle valeur de courant i_s, le transistor T'₁ se met-il à conduire ? Conclusion.

 

                        1-2) On modifie le montage pour que la limitation en courant se produise pour un i_s plus élevé :

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

            - En raisonnant sur l'alternance positive de e(t), déterminer R’₁ et R’₂ pour que T'₁ se mette à conduire lorsque i_s atteint 120 mA sachant que le courant i doit être 100 fois plus petit que i_smax.

 

 

            2) Manipulation :

 

Mesurer le courant de limitation i_smax dans les deux cas 1-1 et 1-2 précédents. (Faire des schéma de montage pour chaque mesure).

 

 

VI- ELIMINATION DE LA DISTORSION DE CROISEMENT A L'AIDE D'UN ADI :

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

           

- Relier les bornes B et B₁ ; B et B ; àE et E ; àS et S.

 

            - Appliquer un signal sinusoïdal à l'entrée du montage E'.

 

            - Visualiser la tension de sortie s(t).

 

-         Expliquer le fonctionnement du montage.

 

 

SCHEMA DE MONTAGE :