LE TRANSISTOR BIPOLAIRE
I. Schéma
Le
transistor est un composant à 3 bornes :

La flèche indique le sens passant du dipôle BE
II. Etude du fonctionnement
d'un transistor NPN
Refaire
le schéma du montage suivant, flécher les grandeurs IB, IC,
VCE et VBE, et ajouter les appareils nécessaires à leur
mesure.

Effectuer le montage et faire les mesures nécessaires aux tracés des
caractéristiques IB(VBE) et IC(IB)
Présenter les résultats dans un tableau

Tracer les caractéristiques IB(VBE) et IC(IB)
Mesurer VCE lorsque IB = 0 et lorsque IC
est maximal
III. Les états de fonctionnement
Etat bloqué : VBE
Etat saturé : VBE
IB è commutation è IB
IC
IC
VCE
VCE
Etat linéaire : Ic
= bIb (b : amplification en courant
du transistor)
déterminer b
IV.
La commutation
u est une tension carrée 0-3 V; 1000 Hz
En utilisant la valeur de b déterminée au III, calculer la valeur maximale de Rb qui permet de saturer
la transistor lorsque u = 3 V.
Effectuer le montage.
Relever les oscillogrammes u(t) et Vce(t).
Indiquer les zones de blocage et de saturation.

V. Amplification

Montage de polarisation (en gras)
Calculer
Rb afin d'avoir Ic = 30 mA. Quelles sont les valeurs de Vce et Ib? On prendra
Vbe = 0,7 V.
Effectuer le montage, mesurer Ic, Ib, Vce et Vbe. Comparer aux valeurs prévues.
Montage amplificateur
Appliquer une tension u alternative triangulaire, 100 Hz, de faible amplitude
(éviter la saturation).
Relever les tensions u(t) et Vce(t).
Matériel pour
LE TRANSISTOR BIPOLAIRE
Alim
0-30 V
GBF
avec offset
Platine
transistor
1
transistor 1N1711
1
cavalier
1
potentiomètre 10 kW
1
résistance 1 kW
1
résistance 220 W;1W
2
multimètres numériques
Oscilloscope
Condo
1 µF
aoip
x100, x1K; x10K
merci.